【摘 要】
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采用金属有机物化学汽相淀积／液相外延生长工艺和多量子阱－分布反馈双沟平面隐埋异质结结构，实现了１３１０ｎｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱分布反馈激光器高功率输出。２５℃时，尾纤输出功率（Ｐｆ）大于１０ｍＷ，阈值电流（Ｉｔｈ）小于１８ｍＡ，斜率效
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采用金属有机物化学汽相淀积／液相外延生长工艺和多量子阱－分布反馈双沟平面隐埋异质结结构，实现了１３１０ｎｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱分布反馈激光器高功率输出。２５℃时，尾纤输出功率（Ｐｆ）大于１０ｍＷ，阈值电流（Ｉｔｈ）小于１８ｍＡ，斜率效率（Ｅｓ）大于２２Ｗ／Ａ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于４０ｄＢ，单纵模产率（Ｙ）超过７０％
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