【摘 要】
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南京电子器件研究所在 2 0 0 1年研制出 WFD0 0 1 2型 2～ 6GHz功率单片放大器 ,该宽带大功率单片集成放大器的研制采用了南京电子器件研究所 76mm 0 .5μm HFET标准工艺以及
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南京电子器件研究所在 2 0 0 1年研制出 WFD0 0 1 2型 2～ 6GHz功率单片放大器 ,该宽带大功率单片集成放大器的研制采用了南京电子器件研究所 76mm 0 .5μm HFET标准工艺以及 Ta N电阻、Ta2 O2电容、Si N电容等无源元件。电路设计采用无耗电抗匹配实现宽带功率匹配 ,采用有耗
Nanjing Institute of Electronic Devices in 2001 to develop WFD0 0 1 2 type 2 ~ 6GHz power monolithic amplifier, the broadband high-power monolithic integrated amplifier developed using the Nanjing Institute of Electronics 76mm 0 .5μm HFET standard process And Ta N resistance, Ta2 O2 capacitance, Si N capacitance and other passive components. Circuit design using non-consumable matching broadband power matching, using a loss
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