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用ＭＥＭＳ技术在硅茯片上制作了微波集成滤波器，并提出一种三维电容，该电容用ＭＥＭＳ的深槽刻蚀技术实现三维结构。该电容面积只有平面电容的１／３。电感采用ＭＥＭＳ的背面腐蚀技术，去掉硅衬底，减少了衬底损耗，解决硅衬底电阻率不高的缺点。导体采用ＭＥＭＳ准ＬＩＧＡ厚胶光刻和电铸工艺，使金属膜的厚度大大增加，减少导体损耗，从而提高电感的Ｑ值。