【摘 要】
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日本丰田公司采用非极性GaN制造出具有电子特性的高功率晶体管,且其芯片设计为批量生产铺平了道路。GaN HEMTs被广泛推荐作功率开关,但阈值电压往往未超出它们需要能够做常断
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日本丰田公司采用非极性GaN制造出具有电子特性的高功率晶体管,且其芯片设计为批量生产铺平了道路。GaN HEMTs被广泛推荐作功率开关,但阈值电压往往未超出它们需要能够做常断型开关的3V电压。现在丰田制造出一种10V阈值电压的沟栅MOSFET,这种沟栅MOSFET可优先用于通常包含在硅
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