【摘 要】
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采用在线化学气相沉积（CVD）法对全硅MFI型分子筛膜进行晶内孔道修饰，考察晶间缺陷对膜晶内孔道修饰效果的影响。采用硅烷水解法对缺陷较多的膜进行缺陷孔的修补，结合扫描电子显微
【机 构】
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南京工业大学材料化学工程国家重点实验室
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采用在线化学气相沉积（CVD）法对全硅MFI型分子筛膜进行晶内孔道修饰，考察晶间缺陷对膜晶内孔道修饰效果的影响。采用硅烷水解法对缺陷较多的膜进行缺陷孔的修补，结合扫描电子显微（SEM），观察膜微结构的变化。结果表明：分子筛膜表面缺陷显著影响晶内孔道调变效果。500℃时，缺陷较少的膜经晶内修饰后H2／CO2分离因子由修饰前的2．7提高到42．3，H2渗透性由2．25×10^-7mol／（m^2·s·Pa）降至1．52×10^-7mol／（m^2·s·
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