三菱电机公司首先在业界确立采用InGaP HBT便携电话功率放大器的量产技术

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三菱电机公司在便携电话末端中首先在业界确立采用小型高性能、高可靠 InGaPHBT 的芯片量产技术。为了进一步推进 GaAs 系 HBT 的高速化、小型及低价格,已研制成把发射极材料从AlGaAs 改变成 InGaP 的 InGaP HBT。InGaP HBT 可望大大提高功率放大器的性能和可 Mitsubishi Electric Corporation first established a chip production technology using small high-performance, high-reliability InGaPHBTs in the industry among mobile phone terminals. In order to further accelerate the speed, small size, and low price of GaAs-based HBTs, InGaP HBT has been developed to change the emitter material from AlGaAs to InGaP. InGaP HBT is expected to greatly improve the performance and power amplifier
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