Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性

• 作 者: 董茂进 陈朝阳 范艳伟 丛秀云 王军华 陶明德
• 机 构: 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2009年1期
• 关键词: 双重掺杂 深能级杂质 AU NI 热敏特性 double impurities doped deep level impurity Au Ni thermal-

为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料，采用开管涂源的方法，对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂，得到对温度敏感的补偿硅材料，并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料，其导电类型仍为n型，且电阻率较低，为欠补偿，测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm，温度敏感系数（B值）在5300K左右；根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值，与实验值基本一致。