【摘 要】
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半导体集成电路向高集成度发展,在硅片上如何形成微小图形之技术是一个重要的课题,目前,紫外刻仍起主导地位,但是光波长引起的衍射现象便分辨率受到限制。因此,为了减少衍射
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半导体集成电路向高集成度发展,在硅片上如何形成微小图形之技术是一个重要的课题,目前,紫外刻仍起主导地位,但是光波长引起的衍射现象便分辨率受到限制。因此,为了减少衍射现象的影响,研究了远紫外光曝光法,正在进一步发展,本文叙术 X 射线曝光的研究状况。
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