基于单片式微波集成电路的终端式MEMS微波功率传感器

• 作 者: 许映林 廖小平 田涛
• 机 构: 东南大学MEMS教育部重点实验室
• 出 处: 光学精密工程
• 发表日期: 2009年7期
• 关键词: MEMS 微波功率传感器 MMIC MEMS microwave power sensor Monolithic Microwave Integrated Ci
• 基金项目: Supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 60676043） ,the National High-Tech Research and Development Program of China （863 Program ） （Grant No. 2007AA04Z328）

提出了一种基于塞贝克效应的终端式MEMS微波功率传感器，该传感器的制作工艺与GaAs单片式微波集成电路（MMIC）工艺兼容。利用热电偶检测温度差，生成与微波功率成比例的直流电压，由GaAs／Au热电偶串联构成热堆。传感器将电功率转化为热，再间接测量热堆生成的直流电压。采用微机械加工技术，去除了器件底部的GaAs衬底，从而减小了热损耗和电磁损耗，提高了灵敏度。测试结果表明，在0～20GHz内，HFSS模拟的S11〈-22dB；测试输入功率为-20-20dBm时，频率为0～20GHz；在20GHz时，灵敏度高