半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备

• 作 者: 洪澜 任山 VEREECKEN P M SUN L SEAR
• 机 构: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室//纳米技术研究中心//物理科学与工程技术学院,DepartmentofMaterialsScienceandengineering
• 出 处: 中山大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2006年1期
• 关键词: 半金属 Bi—Sb合金 热电薄膜 电化学沉积 电流-电位循环曲线 Bi - Sb alloy thermoelectric films semiconduc
• 基金项目: 教育部跨世纪人才基金留学回国人员科研启动基金资助项目（02-30100-4105396）,广东省重点研究资助项目（99803001G）,广州市科技资助项目（01-Z-118-01）

Bi1-xSbx半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料，为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低，在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸（2．4mol／L）的Bi和Sb盐酸溶液，成份从纯铋逐步变化到纯锑的Bi1-xSbx合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的Bi1-xSbx固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程，具有高的沉积电