自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

• 作 者: 孔令民 蔡加法 陈主荣 吴正云 牛智川
• 机 构: 厦门大学物理系,中国科学院半导体所
• 出 处: 量子电子学报
• 发表日期: 2003年2期
• 关键词: INAS量子点 浸润层 时间分辨谱 半导体超薄层生长技术 砷化铟 InAs quantum dots wetting layer time-resolved

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.