质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究

• 作 者: 胡新文 李向阳
• 机 构: 中国科学院传感技术国家重点实验室上海技术物理研究所
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 1999年2期
• 关键词: 质子辐照 碲镉汞 性能 光电二极管 红外探测器 Proton irradiation HgCdTe Performance
• 基金项目: 国防科技预研基金!11．3．2（2）号,,国家自然科学基金

用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－Ｐ型短波与中波光伏器件，其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ，黑体探测率达２．３×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，量子效率为２８％，其中Ｒ０Ａ达１５７Ω·ｃｍ＾２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频时主要由１／ｆ噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制，对辐照前材料和器件的截止波长变化亦作出了初步解释。短波哗啦的电流电压特性表明器