GO/PI复合薄膜的制备及性能研究

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利用改进Hummers法制备氧化石墨烯(GO),再通过溶液共混法制备氧化石墨烯/聚酰亚胺(GO/PI)复合薄膜,采用XRD、TMA、TGA等对其结构和性能进行表征.结果表明:相对于不添加GO的PI薄膜而言,当复合薄膜中的GO质量分数为0.2%时,复合薄膜的力学性能得到很大提升,其中拉伸强度提高了26.77%,断裂伸长率提高了76.47%,弹性模量基本不变.当GO质量分数为0.1%时,复合薄膜的T5、T10最大值分别为587.3℃、603.3℃,相对于未添加GO的PI薄膜分别提高了2.44%、1.69%.说明适量GO的加入可以显著增强复合薄膜的力学性能和热学性能.
其他文献
通过合成一种含有脂环及酰胺结构的二酐单体(TCDA),将其与多种不同的二胺聚合,制备了一系列透明聚酰亚胺薄膜,并对薄膜进行了性能测试与表征.结果表明:在二酐结构中同时引入反式环己烷及酰胺结构,使得合成的聚酰亚胺薄膜具有较优异的光学性能(T550>89%)、较低的热膨胀系数(CTE320℃),表明脂环结构的引入降低了电荷转移络合物的形成,提高了聚酰亚胺薄膜的透明性,而酰胺结构的引入降低了热膨胀系数.
以4,4′-二氨基-2,2′-双三氟甲基苯(TFMB)和3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐(BPDA)为原料制备聚酰胺酸,采用氮杂环类喹啉(QL)促进其在较低温度下亚胺化,并对QL用量、最高亚胺化温度及固化时间进行了优化.利用红外光谱法测定所得聚酰亚胺(PI)薄膜的亚胺化程度.结果表明:当QL添加量为BPDA物质的量的两倍时,聚酰胺酸在200℃下固化4 h,亚胺化程度即可超过99%;在250℃下处理0.5 h除去残留溶剂和QL后,PI的热稳定性大幅提高,而透光率基本不变.与300℃高温下亚胺化制备的PI薄
通过插层剂辅助超声剥离水滑石,获得剥离充分的LDHNSs分散液;采用原位聚合的方法制备PI/LDHNSs复合薄膜,并对该类复合材料的电学性能进行深入研究.结果表明:LDHNSs在PI基体中分散均匀,未出现明显的团聚和堆叠现象,与基体之间展现出比较好的界面相容性.相较于纯PI薄膜,LDHNSs的加入使复合薄膜的体积电阻率和电气强度出现一定程度的降低;但值得注意的是,复合薄膜的耐电晕寿命明显得到提升;当LDHNSs质量分数为0.5%时,复合薄膜的耐电晕寿命最长,约为纯PI薄膜的8倍,实现了在较低添加量下对复合