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报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主，价带D^0h发光,ZnO／p-Si结构经空气中700℃退火1h，然后进行X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱和I-V特性测量，实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性，深能级瞬态谱（DLTS）测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线，利用高斯拟合方法，样品S2a的PL谱分解为三条发光线b，c和d，其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射；DLTS测量得到的施主能级E。与发光线c和d的