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缺乏乐队差距大部分在电子设备限制 graphene 的申请。以前的学习证明在多晶的 graphene 的谷物边界(GB ) 能戏剧性地改变 graphene 的电的性质。这里,我们调查密度外部地强加的紧张和内在的失配紧张在 GB 调节的多晶的 graphene 的乐队结构功能的理论(DFT ) 计算。我们发现有对称的 GB 的 graphene 典型地让零个乐队与甚至豁开大单轴并且 biaxial 紧张。然而,一些特别不均匀的 GB 能在 graphene 打开乐队差距,他们的乐队结构能被外部紧张实质地调