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利用MOSFET产生纳秒级窄脉冲
利用MOSFET产生纳秒级窄脉冲
来源 :桂林电子工业学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shanqishuai
【摘 要】
:
超宽带技术因其优越的特性而成为当前的研究热点,在无线通信方面更有其不可替代的优势,二进制PPM调制的超宽带无线通信发射机是超宽带技术在无线通信方面的典型应用.针对其中
【作 者】
:
李龙
郑继禹
林基明
张德安
【机 构】
:
桂林电子工业学院
【出 处】
:
桂林电子工业学院学报
【发表日期】
:
2003年2期
【关键词】
:
超宽带
脉冲信号
MOSFET
纳秒级窄脉冲
Ultra-Wide Band
pulse
MOSFET
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超宽带技术因其优越的特性而成为当前的研究热点,在无线通信方面更有其不可替代的优势,二进制PPM调制的超宽带无线通信发射机是超宽带技术在无线通信方面的典型应用.针对其中的关键部分纳秒级窄脉冲的产生,设计利用MOSFET进行实现,并通过仿真和电路试验对方案加以验证.
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