【摘 要】
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据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将SiC、GaN和蓝宝石在室温下分别与Si片直接接合。通过材料高效、高品质的
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据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将SiC、GaN和蓝宝石在室温下分别与Si片直接接合。通过材料高效、高品质的接合,为新器件的开发、新器件的规模化生产开拓了新的途径。常温下接合,主要采用在真空条件下通过离子束照射,激活接合
According to the “Electronic Materials” (Japan) No. 9 of 2010, Mitsubishi Heavy Industries has developed a room temperature wafer bonding machine with independent intellectual property rights, the success of the SiC, GaN and sapphire, respectively, at room temperature, respectively, and Si films directly bonded. Through the material with high efficiency and high quality, it opens up new avenues for the development of new devices and the large-scale production of new devices. Bonding at room temperature, the main use of vacuum irradiation by ion beam to activate the bonding
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