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在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体ＩｎＰ０．９７Ａｓ０．０３、ＩｎＰ０．５Ａｓ０．５、Ｇａ０．７６Ｉｎ０．２４Ａｓ和Ｇａ０．２４Ｉｎ０．７６Ａｓ在室温下、１６ＧＰａ内的电阻与压力的关系。工作中，对测量技术进行了一些改进，采用微机进行测量控制和数据记录。实验结果表明，这些样品在测量的压力范围内，均发生了金属化相变。它们的相变压力分别为：１０．３、９．７、１３．５～１４．６和１０～１０．４ＧＰａ左右。这些实验结果在过去发表的文章中未见报导过