【摘 要】
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介绍了直流磁控溅射制备cu薄膜时，溅射功率和玻璃基片温度等工艺参数的变化对薄膜织构的影响．靶材采用质量分数大于99．9％的铜靶，溅射室内真空度低于1．7×10^-4，在氩气为保护气体
【机 构】
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江苏大学机械工程学院,广东省有色金属地质勘查局
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(50451004)
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介绍了直流磁控溅射制备cu薄膜时，溅射功率和玻璃基片温度等工艺参数的变化对薄膜织构的影响．靶材采用质量分数大于99．9％的铜靶，溅射室内真空度低于1．7×10^-4，在氩气为保护气体的氛围下制备薄膜．用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）测试分析了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌的变化．结果表明，随着玻璃基片温度升高，薄膜微观结构呈明显的差异．随着溅射功率的增大，溅射速率增大，薄膜织构减弱；当功率增大到200W时，速率开始减小，织构开始增强．选择功率40W、溅射气压0．5Pa、衬底温度42
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