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用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果，利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，在此基础上，讨论了晶格驰豫对表电子特性的影响。
原子位置驰豫对ZnS（110）表面电子结构的影响
【摘 要】
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用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果，利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，在此基础上，讨论了晶格驰豫对表电子特性的
【机 构】
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郑州大学材料物理重点实验室
【出 处】
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郑州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年3期
【基金项目】
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河南省自然科学基金
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