【摘 要】
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用射频磁控溅射发射法成功制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料，改变Ｃｕ层的厚度，研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系，结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大，其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％，在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层，通过对不同温度
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,中国科学院上海冶金所
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用射频磁控溅射发射法成功制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料，改变Ｃｕ层的厚度，研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系，结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大，其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％，在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层，通过对不同温度厚度Ｃｏ夹层的样品的ＭＲ曲线及磁滞回线的研究，讨论了Ｃｏ夹层对样品磁电阻的影响并分析了原因，结果表明插入适当的Ｃｏ层将提高材料的磁电阻效应，可达２．
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