论文部分内容阅读
用正电子湮没寿命谱（PALS）方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H—SiC内的缺陷进行研究。实验表明，辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc。对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现，低剂量的γ辐照对n型6H—SiC有类似退火效应的作用。这些研究结果可以为n型6H—SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值。