【摘 要】
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本文介绍了针对n沟硅栅MOS等平面工艺设计的测试图形。阐述了图形的设计考虑,基本测试结构的测试方法和初步实验结果。实验数据反映了现行工艺中一些引人注目的问题,给工艺的
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本文介绍了针对n沟硅栅MOS等平面工艺设计的测试图形。阐述了图形的设计考虑,基本测试结构的测试方法和初步实验结果。实验数据反映了现行工艺中一些引人注目的问题,给工艺的改进和深入研究提供了线索。
This article describes the test pattern for n-type silicon gate MOS and other planar process design. The graphic design considerations, the basic test structure of the test methods and preliminary experimental results. The experimental data reflect some striking issues in the current process, providing clues to the process improvement and in-depth study.
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