【摘 要】
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使用分区变分法计算了GaAs、GaP、AlAs和AlP的能带。运用三个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本吻合。在个别能级次序方面得到了同以往理论不同的结果。用所得的晶体势
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使用分区变分法计算了GaAs、GaP、AlAs和AlP的能带。运用三个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本吻合。在个别能级次序方面得到了同以往理论不同的结果。用所得的晶体势进一步计算了GaAsxP1-x、AlAsxP1-x、GaxAl1-xAs和GaxAl1-xP的合金能带。在带边随组分而改变的关系中得到了一些新的结构。
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