顶部籽晶法生长大尺寸CsLiB6O10晶体

• 作 者: 余雪松 岳银超 胡章贵
• 机 构: 中国科学院理化技术研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: CLBO 晶体生长 顶部籽晶法 CsLiB6O10（CLBO） crystal growth TSSG

以高纯硼酸、碳酸锂和碳酸铯为原料，摩尔比硼酸：碳酸锂：碳酸铯=11：1：1，采用顶部籽晶法，生长出尺寸为65mm×22mm×12mmCsLiB6O10（CLBO）单晶，探讨了影响CLBO晶体生长的因素。对生长出的CLBO晶体的相关光学性质进行了研究。CLBO晶体的光学均匀性为3．6×10^-5／cm，透过光谱表明该晶体的透光范围为185nm到2790nm，其紫外吸收边低于185nm；用Maker干涉条纹测定了CLBO晶体的非线性光学系数为：d36（CLBO）=1．8d36（K