钛在硅浅结互连中引进深能级的研究

• 作 者: 李秀琼 卢励吾 陈维德
• 机 构: 中国科学院微电子中心,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室 北京650信箱 100010,北京 100083,北京 100083
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1993年02期
• 关键词: 深能级 欧姆接触 浓度分布

钛在硅浅结互连中作为铝硅阻挡层已成功地应用在器件工艺中。但它在P-Si一侧引进一个深能级中心,其能级位置在Ev+0.38eV,浓度分布为（-3）×10¹²cm^-3;在N-Si一侧引进三个深能级中心:E_c-0.22eV,E_c—0.40eV和E_c-0.55eV,其浓度分布在（1.6—2.6）×10¹¹cm^-3。有关参数表明,它对器件的性能有一定的影响。