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为了替代传统的SiO2栅介质，利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知，HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态，显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测量显示，HfSiON薄膜具有较好的介电特性，其介电常数可达到18．9，电容等效氧化层厚度为4．5nm。I-V测量结果表明，HfSiON薄膜的漏电流密度很低，在外加偏压（圪）为±1．5v处的漏电流密度分别为3．5×10^-7A／cm^2（