【摘 要】
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利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si
【机 构】
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中国科学院半导体研究所!北京100083,中国科学院表面物理实验室!北京100080
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利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。
The influence of the growth temperature on the deviation of ideal Si δ -doped structure in GaAs and the doping activity of the dopant was investigated by SIMS and electrochemical C-V method. The experimental results show that SIMS peak of Si doping distribution broadens asymmetrically with the increase of growth temperature, and surface segregation strengthens without affecting the diffusion of Si atoms. In addition, the Si donor activation efficiency increases with the growth temperature.
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