利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究

• 作 者: 颜建锋 梁红伟 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希
• 机 构: 东北师范大学物理系理论物理研究所,吉林,长春,130024中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 2004年2期
• 关键词: ZnO 等离子体辅助分子束外延 光致发光 吸附

在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质.随着衬底温度的升高,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大,衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好,这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度;同时,我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81～300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源,证明其来源于自由激子发射.