【摘 要】
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高效率、高功率密度是现代开关电源的发展趋势,提高开关频率可以有效减小无源器件的尺寸。传统的Si材料的功率器件性能已逐渐到了瓶颈,宽禁带半导体器件中的氮化镓功率器件相
【机 构】
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天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室
【基金项目】
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高性能LED植物生长灯驱动电源关键技术研究(天津市科委项目),项目号:16JCTPJC46600
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高效率、高功率密度是现代开关电源的发展趋势,提高开关频率可以有效减小无源器件的尺寸。传统的Si材料的功率器件性能已逐渐到了瓶颈,宽禁带半导体器件中的氮化镓功率器件相对于Si MOSFET,具有更小的导通阻抗,可以承受更高的开关频率条件。本文以GaN System的GS66052B为例,通过双脉冲测试,分析了单体增强型氮化镓功率器件的动态特性,设计了基于LM5114的单管驱动电路,并针对漏源极出现的过高的电压尖峰,通过参数计算,利用RC缓冲回路吸收过冲电压。实验表明氮化镓功率器件在电压尖峰处理后的高频负载下
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