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利用磁控溅射法在阳极氧化铝(AAO)模板上制备了Ni亚微米柱阵列,研究了不同退火温度对Ni亚微米柱阵列结构稳定性的影响.通过原子力显微镜(AFM)、X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等对不同退火温度下制备的Ni亚微米柱阵列的晶体结构以及表面形貌进行了表征.结果表明,磁控溅射法制备的Ni亚微米柱阵列具有多晶的面心立方结构,排列规则、粗细均匀,其直径约为400nm.经400 ℃退火后,开始形成Al1.1Ni0.9和AlNi金属间化合物.500℃退火后,出现空心Ni亚微米柱,且Ni亚微米柱体积膨