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本文用椭偏光谱法研究多孔硅。采用有效介质理论，从椭偏光谱数据定出不同实验条件下制备成的多孔样品的孔隙率。其次，从紫外－可见范围的椭偏光谱得到多孔硅介电函数虚部谱，并与单晶硅相应谱作比较。结果表明主峰带隙随着多孔硅空隙率增加而向高能方向移动，同时在＜3eV区出现新的吸收带，与能带理论计算结果相符。