【摘 要】
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采用 Xe Cl准分子激光器 (波长 3 0 8nm)照射 Al2 O3 -Si C纳米复合陶瓷试样 ,能量密度在 0 .8～ 6.0 J/ cm2 范围内。照射后 ,表面缺陷消除 ,形成连续分布的光滑平整的熔化层
【机 构】
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中国科学院金属研究所!辽宁沈阳,110015,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳,110015,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳,110015
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采用 Xe Cl准分子激光器 (波长 3 0 8nm)照射 Al2 O3 -Si C纳米复合陶瓷试样 ,能量密度在 0 .8～ 6.0 J/ cm2 范围内。照射后 ,表面缺陷消除 ,形成连续分布的光滑平整的熔化层 ,并出现亚稳相 γ-Al2 O3 。由于表面形貌的改善和结构的变化 ,使表面韧性 K1c得到提高。
Al 2 O 3 -Si C nanocomposite ceramic samples were irradiated with Xe Cl excimer laser (wavelength of 308 nm) with energy density ranging from 0.8-6.0 J / cm 2. After irradiation, the surface defects disappear to form a smooth and continuous melt layer, and the metastable phase γ-Al 2 O 3 appears. Due to the improvement of surface morphology and structural changes, the surface toughness K1c is improved.
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