Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jekiyi

【摘要】

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介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了Ⅴ/Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响.在Ⅴ/Ⅲ比较低

【作者】

：

缪国庆金亿鑫蒋红周天明李树玮元光宋航

【机构】

：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

铟镓砷 Ⅴ/Ⅲ比低压金属有机化学气相沉积 InGaAs Ⅴ/Ⅲ ratio LPMOCVD

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介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了Ⅴ/Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响.在Ⅴ/Ⅲ比较低时,表面粗糙,要获得镜面状的表面形貌,Ⅴ/Ⅲ比必须大于40.Ⅴ/Ⅲ比对外延层结晶质量有影响.迁移率和本征载流子浓度随着Ⅴ/Ⅲ比的增加而增大.

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