超高载流能力的干净极限MgB2薄膜与超高上临界场的碳掺杂MgB2薄膜

• 作 者: 庄承钢 孟胜 张从尧 马小柏 聂瑞娟 王福仁 杨欢 贾颖 闻
• 机 构: 北京大学物理学院及人工微结构与介观物理国家重点实验室,中科院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室超导国家重点实验室,北京大学物理学院及人工微结构与介观物理国家重点实验室北京,100871,北京,北京10
• 出 处: 前沿科学
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: 混合物理化学气相沉积 MgB2薄膜 破对电流密度 碳掺杂 hybrid physical-chemical vapor deposition MgB2 thin
• 基金项目: 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划)，教育部优秀本科生基础科研基金

本本文报道了基于混合物理化学气相沉积方法制备高质量干净极限MgB2薄膜和碳掺杂MgB2薄膜的最新结果.c轴外延干净的MgB2薄膜具有高达41.4K的超导转变温度,低于0.3μΩcm的正常态剩余电阻率.样品处于干净极限.薄膜表面RMS粗糙度小于5nm,在150nm宽的纳桥上测量到了大于1×108A/cm2的临界电流密度,接近MgB2,材料理论上的拆对电流密度,同样的结果也从对相同样品的磁性测量中推导得到.利用甲烷作为碳源,基于改进的热丝辅助混合物理化学气相沉积装置,高性能碳掺杂MgB2薄膜得以成功