SOI NLIGBT热载流子效应研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:edward109
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件内部的电场强度和碰撞离化率也进行了仿真。测试得到的电荷泵电流直接验证了器件表面的损伤程度。最后讨论了SOI LIGBT在不同栅压条件下的退化机制。
其他文献
对可持续竞争优势的外生性分析是基于企业同质性假设,把企业看成黑箱.以资源基础论为主流的内生性分析基于企业异质性假设,突破了企业黑箱,但由于提出了过分宽泛的资源概念,
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、
加强对高职院校实践教学体系构建与实践教学基地建设的理论研究与实践探索,有助于高职教育的健康发展和高职应用性专业技术人才培养目标的实现。
FinFET作为22nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注。不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10nm尺度下鳍形状对器件性能参数的
本文运用博弈论的方法,在激励理论的研究中引入对监控机制的分析,从而拓展了激励机制的理论框架.分析结果表明:监控机制与激励机制具有相关性,二者之间具有一定的相互替代作
本文首先实证调查和研究了我国银行等金融机构面临的高度信息不对称及由此产生的贷款风险;接着从理论和实务的角度研究了不对称信息下的利益冲突,以及银行为保护自己的利益,
实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注。实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效