高择优取向铜镀层的电化学形成及其表面形貌

• 作 者: 辜敏 杨防祖 等
• 机 构: 汕头大学化学系,厦门大学化学系
• 出 处: 物理化学学报
• 发表日期: 2002年11期
• 关键词: 择优取向 铜镀层 电化学形成 电沉积 表面形貌 镀铜 Electrodeposition Copper electro deposit Highly prefe
• 基金项目: 国家自然科学基金(20073037),优秀国家重点实验室基金(20023001)

采用电化学方法在H2SO4－CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层，XRD结果表明，在1．0－6．0和15．0A·dm^-2的电流密度下可分别获得（220）和（111）晶面高择优取向的Cu镀层，在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高。SEM结果表明，在4．0和15．0A·dm^-2的电流密度下可分别获得（220）和（111）织构Cu沉积层，其表面形貌在（220）晶面取向时呈现为细长晶粒连结成的网状，在（111）取向时则呈六棱锥状。提出了可能的机理，认为电流