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摘要：提出了一种提取BSIM SOI模型参数的新方法，该方法基于遗传算法和局部优化法的结合，同时具有全局优化和局部优化的优点，提取的参数物理意义明确，并且容易得到全局最优解．该方法计算简单，不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验，易于推广使用．对用该方法得到的SOI模型进行了模拟，并将模拟结果与1．2μmCMOS／SOI测试结果进行对比，二者吻合很好，SOI器件特有的kink效应也得到了很好的拟合．