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提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管（ＬＴＧＢＴ）结构。此结构可明显改善器件的闩锁效应，通过数值模拟，比较耻ＬＴＧＢＴ结构与ＬＩＧＢＴ结构的闩锁电流密度大小，讨论了ＬＴＧＢＴ结构闩锁电流密度与该结构的ｎ＾＋和ｐ＾＋阴极区域设计的关系。在相同５微米ｎ＾＋阴极长度下，ＬＴＧＢＴ结构闩锁电流密度比ＬＩＧＢＴ结构提高了７．７倍，ＬＴＧＢＴ结构闩锁电流密度大小随槽栅与ｐ＾＋阴极之间距离减小而增大。