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葡萄牙新里斯本大学科学与技术系材料研究中心的埃尔维拉·福图纳多及其同事，第一次使用一种纸质“介质”层制作出了场效应管（FET）。这个新装置的电气性能可与真正顶尖的、基于氧化物的薄膜晶体管（TFT）相媲美，而薄膜晶体管通常制作于玻璃或结晶硅衬底上。这项研究成果将发表在《IEEE电子器件通讯》9月刊上。