PTEN在电离辐射诱导旁效应细胞中的表达变化

来源 :第二军医大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:quguangming
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目的:研究PTEN基因在旁效应细胞中的表达变化。方法:采用未照射细胞与直接照射细胞按1:1共同培养,以及将直接照射细胞培养液离心加入未照射细胞中培养形成2种旁效应细胞模型,对比PTEN mRNA及蛋白表达在2种旁效应细胞、直接照射细胞、未照射细胞中的变化。结果:直接照射的PTEN蛋白表达与照射剂量有关,照射剂量越大其下调越为明显;PTEN蛋白表达下调程度与细胞的处理方式有关,以受照细胞培养液培养的旁效应细胞表达下调最为显著,且2种旁效应细胞中PTEN蛋白的表达下调程度均高于直接受照细胞(P<0.01)。结论:PTEN蛋白表达与低剂量电离辐射生物学效应及电离辐射旁效应的发生发展密切相关。 Objective: To study the changes of PTEN gene expression in adjacent cells. Methods: Co-culture 1: 1 unirradiated cells with irradiated cells, and directly cultured cells were centrifuged into unirradiated cells and cultured to form two types of para-effector cells. PTEN mRNA and protein expression were compared in two side effects Cells, irradiated directly, change in non-irradiated cells. Results: The expression of PTEN protein was directly related to the irradiation dose. The more the radiation dose was, the more obvious the down-regulation was. The down-regulation of PTEN protein expression was related to the treatment of cells. The down-regulation of PTEN expression was the most significant , And down-regulated the expression of PTEN protein in both of the two types of cells (P <0.01). CONCLUSION: PTEN protein expression is closely related to the biological effects of low dose ionizing radiation and the occurrence and development of side effects of ionizing radiation.
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