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利用用效质量近似，考虑有限深势阱，对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究，提出了一个基本的模型，在限制区，随着半导体纳米晶尺寸的减小，势阱壁对电子－空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度，对激子的质心运动的限制作用缓慢地啬了吸收振子强度，而跃迁频率的变化减小了振子强度，这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强；在弱限制区，单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数，这与著名的巨振子强度