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详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅(SiOF)介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的FTIR光谱，发现薄膜中大部分的氟以Si—F键形式存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。
超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究
【摘 要】
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详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅(SiOF)介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的FTIR光谱，发现薄膜中大部分的氟以Si—F键形式存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而
【机 构】
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复旦大学电子工程系CVD研究室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年1期
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