【摘 要】
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本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心 南京 210018,南京 210018,南京 210018
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本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
In this paper, the device structure and conduction mechanism of a fully depleted n-channel MOSFET in SOI / SDB thin film are studied in detail. A clear physical analysis model is established and an analytical expression for the operating current of the device in various states is given. Finally, the analytical results of the analytical model are compared with the experimental data.
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