在Vg=Vd／2应力模式下2．5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型

• 作 者: 胡靖 赵要 许铭真 谭长华
• 机 构: 北京大学微电子学研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2004年2期
• 关键词: 热载流子 复合 电子注入 二次碰撞电离 hot carriersrecombinationelectron injectionsecondary impact
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划 ( No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 ),, Motorola Digital DNA Laboratory资助项目~~

研究了2．5nm超薄栅短沟pMOSFETs在Vg=Vd／2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型，栅电流由四部分组成：直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入，器件退化主要是由一次碰撞产生的电子和二次碰撞产生的空穴复合引起，假设器件寿命反比于能够越过Si—SiO2界面势垒的二次碰撞产生的二次空穴数目，在此基础上提出了一个新的模型并在实验中得到验证。