【摘 要】
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本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si(111)界面进行了研究.在超高真空(～4 × 10~(-10)mbar)中,高纯Ti(99.99％)淀积在Si(111)表面上.Ti/S界面产生相互作用.T
【机 构】
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中国科学技术大学结构中心,中国科学技术大学结构中心,中国科学技术大学结构中心,中国科学院半导体研究所 合肥,合肥,合肥,北京
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本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si(111)界面进行了研究.在超高真空(～4 × 10~(-10)mbar)中,高纯Ti(99.99％)淀积在Si(111)表面上.Ti/S界面产生相互作用.Ti2p和Si2p芯能级产生化学位移,利用电子组态变化的观点解释了所观测到的化学位移.具有氧玷污的Ti 蒸发源,淀积在Si(111)表面上,没有观察到界面相互作用.如果在Si(111)表面存在极薄的氧化层,则在界面处首先形成 Ti的氧化物.文中讨论了氧玷污对界面互作用的影响.
In this paper, the Ti / Si (111) interfaces of different cleaning processes were studied by using XPS, UPS and AES etc. In ultra-high vacuum (~4 × 10 -10 mbar) %) Is deposited on the Si (111) surface. The Ti / S interface creates an interaction. The chemical shifts at the Ti2p and Si2p core levels are explained by chemical shifts observed from the viewpoint of electron configuration changes. Ti evaporation source deposited on the Si (111) surface, no interfacial interaction was observed.If an extremely thin oxide layer is present on the Si (111) surface, an oxide of Ti is first formed at the interface. Defile the impact on the interface interaction.
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