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【摘 要】
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采用射频和直流偏压（RF＋DC）双重激励源，在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数，利用拉曼（Raman）谱仪
【机 构】
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江苏大学微纳米科学技术研究中心,江苏工业学院
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2009年2期
【基金项目】
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江苏省“六大人才高峰”资助项目（N0.06-D-022）
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