600V和650VMOSFET提高了可靠性并减小封装电感

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这3颗采用小尺寸POwerPAKSO-8L封装的N沟道器件-SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E更省空间,其中600VSiHJ8N60E和1650VSittJ6N65E、SiHJ7N65E可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有高可靠性和小封装电感,可用于照明、工业、电信、
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