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在垂直于异质界面电场存在的情况下,用光电流光谱学研究了分子束外延生长的应变 In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>0</sub>.15Ga<sub>0</sub>.85As 多量子阱的光学吸收性质。在体 GaAs 衬底透明的波长范围内,观察了量子限定斯塔克效应。室温下无须去除 GaAs 衬底,显示出自电光效应器件的光学双稳性。