蒸镀Cu-In合金硒化制CuInSe2薄膜

• 作 者: 李文漪 蔡珣 周之斌 茅及放 李刚 许实
• 机 构: 上海交通大学,教育部高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030上海交通大学,太阳能研究所;上海交通大学,分析测试中心
• 出 处: 上海交通大学学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: CuInSe2 真空蒸镀 硒化 光伏材料

利用两源蒸镀Cu-In合金膜,在半封闭石墨盒中硒化,制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)薄膜.实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系.探讨了不同硒化温度对CIS薄膜组织结构、成分和晶粒尺寸的影响.结果表明,单一结构有利于Cu-In合金膜的均匀和平整.硒化过程中,随着硒化温度的升高Cu的损失量增加,In的损失量相对减少;在300°C硒化时开始出现CIS黄铜矿结构,350°C硒化所得薄膜绝大多数为CIS结构,500°C制得单一结构的CIS薄膜.